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多晶电池片(4BB)
相关数据和设计/Mechanical Data And Design
规格 Format 156mm x 156mm ±0.5mm
厚度 Thickness(wafer) 200μm±20μm
正面 Front(-) 主栅线宽度1.0±0.05mm,蓝色氮化硅膜
1.0±0.05mm bus bars(silver),blue anti-reflection coating(silicon nitride)
背面 Back(+) 背电极宽度2.0±0.05mm,背场印刷铝浆
2.0±0.05mm wide soldering pads(silver)back surface field(aluminium)
温度系数/Temperature Coefficients
电压温度系数 TkVotlage -0.33%/K
电流温度系数 TkCurrent +0.06%/K
功率温度系数 TkPower -0.43%/K
光强相关性/Intensity Dependence
光强 Intensity(w/㎡) 电流 Isc(mA) 电压 Voc(mV)
1000 1.00 1.000
900 0.90 0.996
500 0.50 0.968
300 0.30 0.942
200 0.20 0.920
*标准测试条件AM1.5
Calibrated under AM1.5 global SRC in Fraunhofer ISE
*在光强1000W/㎡的条件下衰减
Ratio of Voc(Isc)at reduced intensity to Voc(Isc)at 1000W/㎡
电性能参数/Electrical Characteristics
转换效率 Efficiency(%) 最大功率 Pmpp(W) 最大功率时电压 Umpp(V) 最大功率时电流 Impp(A) 开路电压 Uoc(V) 短路电流 Isc(A) 填充因子 FF(%)
>18.6 4.53 0.538 8.39 0.635 8.93 79.60
18.40-18.60 4.48 0.536 8.37 0.634 8.91 79.42
18.20-18.40 4.43 0.535 8.36 0.633 8.91 79.30
18.00-18.20 4.38 0.534 8.35 0.633 8.89 78.24
17.80-18.00 4.33 0.531 8.34 0.631 8.88 79.03
17.60-17.80 4.28 0.529 8.33 0.630 8.86 78.95
17.40-17.60 4.23 0.527 8.31 0.630 8.84 78.64
17.20-17.40 4.19 0.524 8.27 0.628 8.81 78.33
17.00-17.20 4.14 0.520 8.24 0.625 8.77 78.17
16.80-17.00 4.09 0.517 8.19 0.622 8.72 78.07