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单晶电池片(4BB)
相关数据和设计/Mechanical Data And Design
规格 Format 156.75mm x 156.75mm ±0.5mm
厚度 Thickness(wafer) 200μm±20μm
正面 Front(-) 主栅线宽度1.0mm,蓝色氮化硅膜
1.0mm bus bars(silver),blue anti-reflection coating(silicon nitride)
背面 Back(+) 背电极宽度2.0mm,背场印刷铝浆
2.0mm wide soldering pads(silver)back surface field(aluminium)
温度系数/Temperature Coefficients
电压温度系数 TkVotlage -0.33%/K
电流温度系数 TkCurrent +0.048%/K
功率温度系数 TkPower -0.43%/K
光强相关性/Intensity Dependence
光强 Intensity(w/㎡) 电流 Isc(mA) 电压 Voc(mV)
1000 1.00 1.000
900 0.90 0.996
500 0.50 0.968
300 0.30 0.942
200 0.20 0.920
*标准测试条件AM1.5
Calibrated under AM1.5 global SRC in Fraunhofer ISE
*在光强1000W/㎡的条件下衰减
Ratio of Voc(Isc)at reduced intensity to Voc(Isc)at 1000W/㎡
电性能参数/Electrical Characteristics
转换效率 Efficiency(%) 最大功率 Pmpp(W) 最大功率时电压 Umpp(V) 最大功率时电流 Impp(A) 开路电压 Uoc(V) 短路电流 Isc(A) 填充因子 FF(%)
20.00 4.89 0.549 8.93 0.642 9.43 81.94
19.90 4.86 0.547 8.92 0.642 9.42 80.69
19.80 4.84 0.545 8.90 0.641 9.41 80.56
19.70 4.81 0.544 8.88 0.640 9.39 80.46
19.60 4.79 0.543 8.85 0.639 9.36 80.38
19.50 4.76 0.540 8.84 0.637 9.35 80.25
19.40 4.74 0.538 8.82 0.636 9.34 79.95